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產(chǎn)品

高效充電器控制芯片

產(chǎn)品描述

WS2597B采用原邊控制技術(shù),待機功耗小于75mW,效率全面達到能效六要求。內(nèi)置了線損補償和峰值電流補償,使得在全電壓/負(fù)載范圍內(nèi)都能提供精準(zhǔn)的恒壓和恒流模式:采用PFM控制,并且?guī)в须S機頻率抖動功能,和內(nèi)置自適應(yīng)軟驅(qū)動功能,減小了系統(tǒng)的EMI;采用雙峰值技術(shù),輕載和空載時降低CS峰值,避免了音頻噪聲:全面的保護功能:采用WS2597B來設(shè)計系統(tǒng),可以省去光耦,次級反饋控制電路,環(huán)路補償降低系統(tǒng)成本。

主要特點


  • 低待機功耗<75mw

  • 低啟動電流<1uA

  • 高效率(滿足能效六要求)

  • 內(nèi)置隨機頻率抖動

  • 內(nèi)置前沿消隱

  • 逐周期限流保護

  • VCC 欠壓鎖定和過壓保護

  • ±5% CC、CV 精度

  • 良好的動態(tài)特性(10%--任意負(fù)載)

  • CS 引腳和 CS 電阻開路保護

  • FB 上下分壓電阻開路/短路保護

  • 芯片 GND 開路保護

  • 輸出過壓保護

  • 輸出電壓過低保護

  • 過溫保護

  • 智能溫度調(diào)節(jié)(溫度過高時,輸出功率降低)

  • 次邊肖特基二極管短路保護

  • 變壓器飽和保護

  • CS 雙峰值技術(shù),避免音頻噪聲

  • 專利的自適應(yīng)的軟驅(qū)動功能

  • 外部可編程的 cable 補償,提高 CV 精度

  • 內(nèi)置線電壓補償,提高 CC 精度

  • 內(nèi)置 MOS 管

  • DIP-7 封裝


規(guī)格書

文檔名稱文檔描述下載
WS2597B_CN_A4699KB


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